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SGT N80-85V Power MOSFET
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Introduction k豆钱包科技最新推出的N80-85V SGT系列MOSFET，选取SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET结构及工艺造作步骤，拥有传统Trench MOSFET低导通损耗的利益，同时拥有更低的开关损耗 。 SGT MOSFET作为开关器件，宽泛利用于新能源电动车BMS、逆变电源系统、电机驱动系统及其他电源治理系统，是其主题的功率节造部件 。 除传统TO系列封装表，选取Copper Clip封装工艺的DFN5060产品也即将推出 。 k豆钱包科技目前已推出N40V,N60V,N80-85V,N85V,N100V,N120V多个电压平台的系列化解决规划,供客户凭据现实需要矫捷选择 。
Features 1、选取SGT工艺，极低的Rdson和优异的开关个性，带来更低的FOM，减幼系统损耗 。
2、和传统Trench工艺比Ciss/Qg参数都有大幅优化，设计MOSFET驱动时有更多选择 。
3、针对系统利用中的各类异常工作状态，优化MOS产品EAS个性，提高系统靠得住性 。
SPECIFICATION

YJP120G08A YJP118G08H YJG100G08E YJG100G08A YJD110G08A YJB120G08A YJB118G08H

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