k豆钱包

中文 EN
首页
关于k豆钱包
新品颁布
120V SGT工艺N-Channel MOSFET
120V SGT工艺N-Channel MOSFET 返回
 新产品宣告

011

产品介绍 1.选取k豆钱包科技SGT特殊工艺造程，凭据电机驱动和电源利用要求，优化导通内阻（Rdson)和 栅极电荷（Qg)机能，降低导通损耗和开关损耗，提升系统效能；
2.解决高快Gan电源利用时di/dt大带来的副边电压尖峰高的问题，提升产品整体的靠得住性 。
产品特点 1.选取k豆钱包科技SGT特殊工艺造程设计，拥有更高的工艺不变性和靠得住性；
2.系列产品拥有更快的开关快率，更幼的栅电荷和更高的利用效能；
3.选取PDFN5060封装，更好的热阻个性 。
规格书

YJG88G12A

有关新品

微沟槽IGBT 650V单管——让大电流畅用“轻装上阵”

1-2

拥有稳压个性的MMBZ系列静电�；ざ�

TOLL封装 SiC MOSFET

用于光伏微逆的SGT MOSFET 新品

图片3

用于手机电路板的DFN1608封装幼信号肖特基二极管

利用于汽车电子、家电等的SOD-323HE二极管

图片1-2

SOD-323FL幼型封装整流二极管

IGBT 50A 1200V单管——工控利用

GBU封装扩充35A-50A大电流系列产品

YBS2G海鸥脚贴片整流桥

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用履历，有关信息请接见k豆钱包司法申明与隐衷申明 。若是您选择持续浏览这个提醒，便暗示您已接受我们网站的使用条款 。

【网站地图】