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650V Super Junction N-Channel MOSFET

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011-3

产品介绍 1.选取k豆钱包科技特殊多层表延工艺造程设计的650V系列超结产品，能够满足低导通损耗、低开关损耗、EMI兼容性以及分歧电路拓扑结构利用要求，产品拥有优良的导通内阻（Rdson)和栅极电荷（Qg)机能，降低导通损耗和开关损耗，更低的开关噪声、更低的Trr，综合提升系统稳定性及机能。
2.开关快杜纂EMI平衡、更低的Trr特点，合用于充电器，电源适配器，TV电源、工业电源等领域，亦可满足一些半桥或各类桥式电路拓扑结构利用要求。

产品特点 1.选取k豆钱包科技特殊多层表延工艺造程设计，拥有更高的工艺不变性和靠得住性，开关快杜纂EMI 平衡、更低的Trr特点；
2.系列产品拥有低导通电阻、低栅极电荷、导通损耗和开关损耗低的特点；
3.选取TO-252/ITO-220AB封装，拥有更好的热值个性。

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