k豆钱包

首页
关于k豆钱包
k豆钱包简介企业新闻发展过程企业荣誉合规诚信新品颁布招聘信息技工教育
产品中心

分立器件晶圆集成电路

汽车

幼信号开关二极管
幼信号肖特基二极管
幼信号稳压管
幼信号三极管
整流二极管
快复原二极管
肖特基二极管
瞬态抑造二极管
静电�；ざ�
MOSFET
功率三极管
幼信号数字三极管
功率稳压管
汽车SiC肖特基二极管
汽车SiC MOSFET
IGBT汽车电子

整流器件

整流桥
通常整流二极管
快复原二极管
超高效整流二极管
超快复原二极管
肖特基二极管
光伏二极管

汽车电子整流器件
整流二极管快复原二极管肖特基二极管

�；て骷�

瞬态抑造二极管
晶闸浪涌�；て�
静电�；ざ�
稳压管

可控硅
单向可控硅双向可控硅

汽车电子�；て骷�
瞬态抑造二极管静电�；ざ� 功率稳压管

幼信号

幼信号开关二极管
幼信号肖特基二极管
幼信号稳压管
幼信号三极管
幼信号数字三极管
功率三极管

汽车电子幼信号
幼信号开关二极管幼信号肖特基二极管幼信号稳压管幼信号三极管功率三极管幼信号数字三极管

MOSFET

ALL MOSFET
汽车电子MOSFET

高压MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planar MOSFET

中低压MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二极管单管
SiC MOSFET单管
SiC二极管�？�
SiC MOSFET�？�
汽车SiC肖特基二极管
汽车SiC MOSFET

IGBT

IGBT�？�
IGBT单管
IGBT汽车电子

�？�

整流�？�
快复原�？�
肖特基�？�
晶闸管�？�
晶闸管混合�？�
压接整流�？�
压接晶闸管�？�
压接晶闸管混合�？�

平板型分立器件

通常晶闸管
急剧晶闸管
双向晶闸管
通常整流管
快复原整流管
焊接整流管

4/5寸晶圆

STD整流芯片
FRD芯片
EPI表延片
TVS芯片
HVB高压�？檠┍佬酒�
汽车电子芯片

6寸晶圆

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防护芯片

8寸晶圆

集成电路

负载开关
线性稳压器
并联式电压基准
开关电源转换器

产品参照

中文 EN

首页

关于k豆钱包

新品颁布

IGBT 高机能微沟槽单管产品——光储充新能源利用

IGBT 高机能微沟槽单管产品——光储充新能源利用 返回

新产品宣告

产品介绍 1、TO-247-3L/TO-247-4L等多种丰硕封装；
2、650V 50A主流产品，针对分歧利用提供Si以及SiC混合封装产品；
3、产品重要用于光储充新能源利用，选取先进沟槽设计技术，满足电能转换系统对功率器件高效能的要求；
4、有关系列产品与市场主流产品齐全pin to pin代替利用；
5、选取环保物料，切合RoHS尺度；

产品特点 1、1.6um微沟槽设计，优异的产品机能，具备低Vce(sat)及急剧开关个性；
2、细分中快S系列及高快H系列，别离对应20-30Khz及30-40Khz的分歧利用需要；
3、最高结温Tjmax=175℃，高靠得住性;

规格书

DGZ50N65CTS2A DGZ50N65CTH2A

有关新品